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RGT20TM65DGC9

RGT20TM65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
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Technische Details RGT20TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns, Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 25 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT20TM65DGC9 RGT20TM65DGC9 ROHM rgt20tm65d-e.pdf Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGT20TM65DGC9 Rohm Semiconductor rgt20tm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
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RGT20TM65DGC9 Rohm Semiconductor rgt20tm65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
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RGT20TM65DGC9 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
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RGT20TM65DGC9 rgt20tm65d-e.pdf
RGT20TM65DGC9
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
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Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
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