RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.83 EUR |
| 10+ | 4.46 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| 1000+ | 2.59 EUR |
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Technische Details RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS, Power - Max: 133 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Gate Charge: 32 nC, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: LPDS, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote RGT30NL65DGTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGT30NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGT30NL65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGT30NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RGT30NL65DGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)