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RGT40TS65DGC13

RGT40TS65DGC13 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 20A TRNCH
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Technische Details RGT40TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, Verlustleistung: 144W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote RGT40TS65DGC13 nach Preis ab 8.53 EUR bis 19.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT40TS65DGC13 RGT40TS65DGC13 ROHM rgt40ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGT40TS65DGC13 RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
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RGT40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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RGT40TS65DGC13 rgt40ts65dgc13-e.pdf
RGT40TS65DGC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGT40TS65DGC13 datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
auf Bestellung 600 Stücke:
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30+11.57 EUR
120+9.82 EUR
510+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGT40TS65DGC13 datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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