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RGT50TS65DGC13

RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgt50ts65dgc13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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Technische Details RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 174 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt50ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
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RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 ROHM rgt50ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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13+20.31 EUR
18+13.04 EUR
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RGT50TS65DGC13 RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
auf Bestellung 592 Stücke:
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2+20.47 EUR
10+14.11 EUR
100+10.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGT50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
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 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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RGT50TS65DGC13 rgt50ts65dgc13-e.pdf
RGT50TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
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RGT50TS65DGC13
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
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RGT50TS65DGC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGT50TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
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