RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 4.01 EUR |
| 50+ | 3.63 EUR |
| 100+ | 3.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGT50TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 174 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Part Status: Active, Gate Charge: 49 nC, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A.
Weitere Produktangebote RGT50TS65DGC13 nach Preis ab 6.31 EUR bis 22.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RGT50TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
|
RGT50TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
|
RGT50TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247GReverse Recovery Time (trr): 58 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 174 W Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Part Status: Active Gate Charge: 49 nC Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247G Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
|
RGT50TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - Verlustleistung: 174W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| RGT50TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.69 EUR |
| 28+ | 6.31 EUR |
| RGT50TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
IGBTs TO247 650V 25A TRNCH
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.74 EUR |
| 10+ | 13.07 EUR |
| 100+ | 10.09 EUR |
| RGT50TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 20.29 EUR |
| 10+ | 13.99 EUR |
| 100+ | 10.44 EUR |
| RGT50TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 22.42 EUR |
| 16+ | 14.6 EUR |




