RGT60TS65DGC11
Produktcode: 174167
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Weitere Produktangebote RGT60TS65DGC11 nach Preis ab 4 EUR bis 9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGT60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 194 W |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT60TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 55A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGT60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.7 EUR |
| RGT60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.57 EUR |
| 10+ | 5.65 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| RGT60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9 EUR |
| 40+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 5.3 EUR |
| RGT60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)