Technische Details RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G, Power - Max: 234 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Part Status: Active, Gate Charge: 79 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247G, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 236 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote RGT80TS65DGC13 nach Preis ab 7.24 EUR bis 22.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGT80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 70A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT80TS65DGC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G Power - Max: 234 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Part Status: Active Gate Charge: 79 nC Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247G Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 236 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGT80TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.68 EUR |
| 25+ | 7.24 EUR |
| RGT80TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.42 EUR |
| 17+ | 13.8 EUR |
| RGT80TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.24 EUR |
| 10+ | 15.46 EUR |
| 100+ | 11.65 EUR |
| RGT80TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.66 EUR |
| 10+ | 15.74 EUR |
| 100+ | 11.83 EUR |