RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 72 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.58 EUR |
| 30+ | 4.15 EUR |
| 120+ | 3.4 EUR |
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Technische Details RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 72W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-3PFM, Dauerkollektorstrom: 35A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote RGTH00TK65GC11 nach Preis ab 5.87 EUR bis 13.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTH00TK65GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 72W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PFM Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGTH00TK65GC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.88 EUR |
| 10+ | 10.7 EUR |
| 30+ | 8.76 EUR |
| 120+ | 8.73 EUR |
| RGTH00TK65GC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Verlustleistung: 72W
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Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTH00TK65GC11 - IGBT, 35 A, 1.6 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 72W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.34 EUR |
| 33+ | 7.15 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |