| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.15 EUR |
| 10+ | 6.26 EUR |
| 100+ | 5.01 EUR |
| 450+ | 4.24 EUR |
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Technische Details RGTH00TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH00TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, Verlustleistung: 277, Anzahl der Pins: 3, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote RGTH00TS65GC11 nach Preis ab 8.63 EUR bis 9.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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RGTH00TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTH00TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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RGTH00TS65GC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTH00TS65GC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 9.59 EUR |
| 10+ | 8.63 EUR |
| RGTH00TS65GC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RGTH00TS65GC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)