
RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 6.81 EUR |
30+ | 5.40 EUR |
120+ | 4.62 EUR |
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Technische Details RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 59 W.
Weitere Produktangebote RGTH50TK65DGC11 nach Preis ab 4.77 EUR bis 9.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RGTH50TK65DGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTH50TK65DGC11 | Hersteller : ROHM |
![]() Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 59 Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 26 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |