RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.1 EUR |
| 30+ | 6.43 EUR |
| 120+ | 5.5 EUR |
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Technische Details RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 59 W.
Weitere Produktangebote RGTH50TK65DGC11 nach Preis ab 5.68 EUR bis 11.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RGTH50TK65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TK65DGC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 59 Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 26 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTH50TK65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGTH50TK65DGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH50TK65DGC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - RGTH50TK65DGC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 26
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.4 EUR |
| RGTH50TK65DGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.65 EUR |
| 10+ | 9.81 EUR |
| 30+ | 9.48 EUR |
| 120+ | 7.91 EUR |
| 270+ | 7.64 EUR |
| 510+ | 7.03 EUR |
| 1020+ | 5.68 EUR |