RGTH50TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Switching Type, 650V 30A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 9.98 EUR |
| 10+ | 8.99 EUR |
| 30+ | 8.5 EUR |
| 120+ | 7.34 EUR |
| 510+ | 6.25 EUR |
| 1020+ | 5.16 EUR |
| 2520+ | 4.98 EUR |
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Technische Details RGTH50TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RGTH50TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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RGTH50TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G |
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