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RGTH60TS65GC13

RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor

rgth60ts65gc13-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RGTH60TS65GC13 RGTH60TS65GC13 Hersteller : Rohm Semiconductor rgth60ts65gc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGTH60TS65GC13 RGTH60TS65GC13 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs TO247 650V 30A TRNCH
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RGTH60TS65GC13 RGTH60TS65GC13 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
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RGTH60TS65GC13 RGTH60TS65GC13 Hersteller : Rohm Semiconductor rgth60ts65gc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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