RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGTH80TS65DG-C11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 117W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 79nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 160A, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 194ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 40A.
Weitere Produktangebote RGTH80TS65DG-C11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGTH80TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 79nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 40A IGBT Stop Trench
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| RGTH80TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 79nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 79nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
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