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RGTV00TS65DGC11

RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor


rgtv00ts65d-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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Technische Details RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 247ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 138W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 104nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RGTV00TS65DGC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rgtv00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 104nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RGTV00TS65DGC11 RGTV00TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor rgtv00ts65d-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N
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RGTV00TS65DGC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rgtv00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 104nC
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