RGTV00TS65GC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 9.13 EUR |
| 10+ | 7.67 EUR |
| 25+ | 7.23 EUR |
| 100+ | 6.20 EUR |
| 250+ | 5.86 EUR |
| 600+ | 5.51 EUR |
| 1200+ | 4.72 EUR |
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Technische Details RGTV00TS65GC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTV00TS65GC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 276W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 95A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RGTV00TS65GC13 nach Preis ab 5.75 EUR bis 9.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RGTV00TS65GC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTV00TS65GC13 - IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 276W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 95A SVHC: To Be Advised |
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| RGTV00TS65GC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 104 nC Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 276 W |
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