RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.46 EUR |
| 30+ | 4.68 EUR |
| 120+ | 3.84 EUR |
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Technische Details RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns, Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 85 W.
Weitere Produktangebote RGTV80TK65DGVC11 nach Preis ab 7.64 EUR bis 17.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 85W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGTV80TK65DGVC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.58 EUR |
| 10+ | 9.07 EUR |
| 100+ | 7.64 EUR |
| RGTV80TK65DGVC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.22 EUR |
| 20+ | 11.88 EUR |