RGTV80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.17 EUR |
| 10+ | 8.92 EUR |
| 100+ | 6.76 EUR |
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Technische Details RGTV80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 234W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 78A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote RGTV80TS65DGC13 nach Preis ab 5.89 EUR bis 14.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGTV80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 234W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTV80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247GE |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGTV80TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 78A Power dissipation: 234W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 81nC Turn-on time: 39ns Turn-off switching energy: 0.71mJ Turn-on switching energy: 1.02mJ Technology: Field Stop; Trench |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGTV80TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.38 EUR |
| 28+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 5.89 EUR |
| RGTV80TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247GE
Description: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247GE
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.24 EUR |
| 10+ | 9.65 EUR |
| 120+ | 6.89 EUR |
| RGTV80TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)