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RGTV80TS65GC13

RGTV80TS65GC13 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Technische Details RGTV80TS65GC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGTV80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RGTV80TS65GC13 RGTV80TS65GC13 Hersteller : ROHM 4155186.pdf Description: ROHM - RGTV80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: To Be Advised
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