RGTVX2TS65DGC11 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.18 EUR |
| 10+ | 13.72 EUR |
| 30+ | 13.09 EUR |
| 120+ | 11.35 EUR |
| 510+ | 9.89 EUR |
| 1020+ | 8.71 EUR |
| 2520+ | 8.4 EUR |
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Technische Details RGTVX2TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RGTVX2TS65DGC11 nach Preis ab 7.16 EUR bis 19.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGTVX2TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247NPackaging: Tube Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247N Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Power - Max: 319 W Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 111 A Gate Charge: 123 nC Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTVX2TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGTVX2TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.1 EUR |
| 30+ | 9.45 EUR |
| 120+ | 7.98 EUR |
| 510+ | 7.16 EUR |
| RGTVX2TS65DGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 19.81 EUR |
| 16+ | 14.88 EUR |



