RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.04 EUR |
| 10+ | 8.83 EUR |
| 120+ | 6.31 EUR |
| 600+ | 5.43 EUR |
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Technische Details RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 319W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 111A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote RGTVX2TS65GC13 nach Preis ab 7.03 EUR bis 13.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGTVX2TS65GC13 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTVX2TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 319W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 111A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGTVX2TS65GC13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.11 EUR |
| 10+ | 9.81 EUR |
| 100+ | 7.91 EUR |
| 600+ | 7.03 EUR |
| RGTVX2TS65GC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.27 EUR |
| 28+ | 8.35 EUR |