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RGTVX2TS65GC13

RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
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Technische Details RGTVX2TS65GC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE, Power - Max: 319 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 111 A, Gate Charge: 123 nC, Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247GE, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote RGTVX2TS65GC13 nach Preis ab 7.03 EUR bis 17.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTVX2TS65GC13 RGTVX2TS65GC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
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1+13.11 EUR
10+9.81 EUR
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RGTVX2TS65GC13 RGTVX2TS65GC13 ROHM 4155188.pdf Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.45 EUR
20+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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RGTVX2TS65GC13 4155188.pdf
RGTVX2TS65GC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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