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RGTVX6TS65DGC13

RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
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Technische Details RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A, Power - Max: 404 W.

Weitere Produktangebote RGTVX6TS65DGC13 nach Preis ab 8.89 EUR bis 22.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTVX6TS65DGC13 RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
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RGTVX6TS65DGC13 RGTVX6TS65DGC13 ROHM 4155185.pdf Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 404W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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RGTVX6TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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RGTVX6TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
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RGTVX6TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 144A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
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RGTVX6TS65DGC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 404W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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25+11.48 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
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