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RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW00TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Part Status: Active
Gate Charge: 141 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
auf Bestellung 425 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Packaging: Tube, Power - Max: 89 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Part Status: Active, Gate Charge: 141 nC, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PFM, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Input Type: Standard.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW00TK65DGVC11 RGW00TK65DGVC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW00TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.76 EUR
10+11.54 EUR
25+11.13 EUR
100+9.62 EUR
250+9.57 EUR
500+8.48 EUR
1000+7.28 EUR
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RGW00TK65DGVC11 RGW00TK65DGVC11 ROHM rgw00tk65d-e.pdf Description: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RGW00TK65DGVC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+11.54 EUR
25+11.13 EUR
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250+9.57 EUR
500+8.48 EUR
1000+7.28 EUR
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RGW00TK65DGVC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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