RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor
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Technische Details RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns, Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 141 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 89 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RGW00TK65GVC11 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGW00TK65GVC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3PFM IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 141 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 89 W |
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