RGW40TS65GC11 ROHM Semiconductor
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Technische Details RGW40TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RGW40TS65GC11 nach Preis ab 3.4 EUR bis 6.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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RGW40TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 59 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 136 W |
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RGW40TS65GC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: To Be Advised |
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