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RGW50TK65DGVC11

RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW50TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 67 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 73 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.03 EUR
30+3.84 EUR
120+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Technische Details RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Packaging: Tube, Power - Max: 67 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Gate Charge: 73 nC, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PFM, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW50TK65DGVC11 RGW50TK65DGVC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW50TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.12 EUR
25+5.81 EUR
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RGW50TK65DGVC11 RGW50TK65DGVC11 ROHM rgw50tk65d-e.pdf Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
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25+5.81 EUR
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RGW50TK65DGVC11 rgw50tk65d-e.pdf
RGW50TK65DGVC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
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