RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.53 EUR |
| 30+ | 3.57 EUR |
| 120+ | 2.92 EUR |
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Technische Details RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns, Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 73 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 67 W.
Weitere Produktangebote RGW50TK65DGVC11 nach Preis ab 5.9 EUR bis 6.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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RGW50TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW50TK65DGVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 67W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PFM Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGW50TK65DGVC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.75 EUR |
| 10+ | 5.9 EUR |
| RGW50TK65DGVC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)