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RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW60TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
auf Bestellung 410 Stücke:
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Technische Details RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 33 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 72 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW60TK65DGVC11 RGW60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+8.77 EUR
100+7.25 EUR
450+7.14 EUR
900+6.59 EUR
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RGW60TK65DGVC11 RGW60TK65DGVC11 ROHM rgw60tk65d-e.pdf Description: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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AnzahlPrivatkunde
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10+8.77 EUR
100+7.25 EUR
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900+6.59 EUR
2700+6.56 EUR
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RGW60TK65DGVC11 rgw60tk65d-e.pdf
RGW60TK65DGVC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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