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RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 178 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
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Technische Details RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Power - Max: 178 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW60TS65GC11 RGW60TS65GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 542 Stücke:
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1+10.52 EUR
10+5.99 EUR
100+4.96 EUR
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RGW60TS65GC11 RGW60TS65GC11 ROHM rgw60ts65-e.pdf Description: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RGW60TS65GC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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1+10.52 EUR
10+5.99 EUR
100+4.96 EUR
450+4.33 EUR
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RGW60TS65GC11 rgw60ts65-e.pdf
RGW60TS65GC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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