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RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGW80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
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Technische Details RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns, Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 81 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW80TK65DGVC11 RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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10+8.33 EUR
100+7.25 EUR
450+7.14 EUR
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RGW80TK65DGVC11 datasheet?p=RGW80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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