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RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGW80TS65CHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 81A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT 650V 81A TO247N, Power - Max: 214 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 81 A, Part Status: Active, Gate Charge: 110 nC, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW80TS65CHRC11 RGW80TS65CHRC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65CHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.1 EUR
10+15.93 EUR
100+13.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65CHRC11 RGW80TS65CHRC11 ROHM rgw80ts65chr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.58 EUR
12+19.88 EUR
16+13.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RGW80TS65CHRC11 datasheet?p=RGW80TS65CHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
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RGW80TS65CHRC11 rgw80ts65chr-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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