RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
Description: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 20.57 EUR |
30+ | 16.66 EUR |
120+ | 15.68 EUR |
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Technische Details RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247N, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RGW80TS65CHRC11 nach Preis ab 13.11 EUR bis 20.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RGW80TS65CHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor | IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW80TS65CHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |