RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.4 EUR |
| 10+ | 11.21 EUR |
| 450+ | 8.96 EUR |
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Technische Details RGW80TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 214W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote RGW80TS65EHRC11 nach Preis ab 8.59 EUR bis 19.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGW80TS65EHRC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW80TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGW80TS65EHRC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
IGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.62 EUR |
| 10+ | 10.95 EUR |
| 100+ | 8.82 EUR |
| 450+ | 8.59 EUR |
| RGW80TS65EHRC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 19.24 EUR |
| 16+ | 15.04 EUR |
| 20+ | 11.27 EUR |