Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW80TS65GC11
RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGW80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 214 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.23 EUR
30+4.66 EUR
120+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N, Power - Max: 214 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 110 nC, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote RGW80TS65GC11 nach Preis ab 5.26 EUR bis 11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW80TS65GC11 RGW80TS65GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+6.33 EUR
100+5.28 EUR
450+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11 RGW80TS65GC11 ROHM datasheet?p=RGW80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11 datasheet?p=RGW80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW80TS65GC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11 EUR
10+6.33 EUR
100+5.28 EUR
450+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80TS65GC11 datasheet?p=RGW80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW80TS65GC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH