RGWS00TS65GC13 ROHM Semiconductor
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Technische Details RGWS00TS65GC13 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns, Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 108 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 245 W.
Weitere Produktangebote RGWS00TS65GC13 nach Preis ab 4.53 EUR bis 11.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RGWS00TS65GC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 245 W |
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RGWS00TS65GC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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