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Technische Details RGWS80TS65GC13 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns, Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 83 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 71 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 202 W.
Weitere Produktangebote RGWS80TS65GC13 nach Preis ab 4.06 EUR bis 10.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RGWS80TS65GC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 83 nC Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 202 W |
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RGWS80TS65GC13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 71A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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