RGWX5TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.09 EUR |
| 10+ | 11 EUR |
| 100+ | 8.82 EUR |
| 600+ | 8.77 EUR |
| 1200+ | 8.27 EUR |
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Technische Details RGWX5TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Verlustleistung: 348W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 132A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote RGWX5TS65DGC13 nach Preis ab 7.35 EUR bis 17.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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RGWX5TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 348W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGWX5TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO247GE |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGWX5TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 132A Power dissipation: 348W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 213nC Turn-on time: 64ns Turn-off switching energy: 1.68mJ Turn-on switching energy: 2.39mJ Technology: Field Stop; Trench |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGWX5TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.31 EUR |
| 19+ | 12.76 EUR |
| 23+ | 9.58 EUR |
| 50+ | 9.38 EUR |
| RGWX5TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO247GE
Description: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO247GE
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.41 EUR |
| 10+ | 11.91 EUR |
| 120+ | 8.62 EUR |
| 600+ | 7.35 EUR |
| RGWX5TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)