RH7G04DBLFRATCB Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details RH7G04DBLFRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RH7G04DBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0127 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm.
Weitere Produktangebote RH7G04DBLFRATCB nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RH7G04DBLFRATCB | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RH7G04DBLFRATCB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RH7G04DBLFRATCB | ROHM |
Description: ROHM - RH7G04DBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0127 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 33W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RH7G04DBLFRATCB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.08 EUR |
| 11+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| RH7G04DBLFRATCB |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2995 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.28 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |
| 6000+ | 0.87 EUR |
| RH7G04DBLFRATCB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7G04DBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0127 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
Description: ROHM - RH7G04DBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0127 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 3.93 EUR |