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RH7L04BBKFRATCB

RH7L04BBKFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RH7L04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RH7L04BBKFRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH7L04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6400 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm.

Weitere Produktangebote RH7L04BBKFRATCB nach Preis ab 1.38 EUR bis 5.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH7L04BBKFRATCB RH7L04BBKFRATCB ROHM rh7l04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7L04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6400 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.44 EUR
105+2.05 EUR
500+1.64 EUR
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RH7L04BBKFRATCB RH7L04BBKFRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=RH7L04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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10+2.75 EUR
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RH7L04BBKFRATCB RH7L04BBKFRATCB ROHM Semiconductor datasheet?p=RH7L04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
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1+4.57 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.38 EUR
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RH7L04BBKFRATCB RH7L04BBKFRATCB ROHM rh7l04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7L04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6400 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
auf Bestellung 2955 Stücke:
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44+5.75 EUR
68+3.44 EUR
105+2.05 EUR
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RH7L04BBKFRATCB rh7l04bbkfratcb-e.pdf
RH7L04BBKFRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7L04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6400 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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105+2.05 EUR
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RH7L04BBKFRATCB datasheet?p=RH7L04BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RH7L04BBKFRATCB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs DFN8 N CHAN 60V
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10+2.24 EUR
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1000+1.56 EUR
3000+1.38 EUR
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RH7L04BBKFRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7L04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6400 µohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
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68+3.44 EUR
105+2.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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