RH7P02BBJFRATCB ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7P02BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.76 EUR |
| 124+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
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Technische Details RH7P02BBJFRATCB ROHM
Description: ROHM - RH7P02BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm.
Weitere Produktangebote RH7P02BBJFRATCB nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RH7P02BBJFRATCB | ROHM |
Description: ROHM - RH7P02BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 62W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RH7P02BBJFRATCB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7P02BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
Description: ROHM - RH7P02BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.136 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
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| 54+ | 4.7 EUR |
| 85+ | 2.76 EUR |
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| 500+ | 1.38 EUR |
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