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RH7P04BBKFRATCB ROHM


rh7p04bbkfratcb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details RH7P04BBKFRATCB ROHM

Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH7P04BBKFRATCB RH7P04BBKFRATCB ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 100V
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RH7P04BBKFRATCB RH7P04BBKFRATCB ROHM rh7p04bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 75W
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
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RH7P04BBKFRATCB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN8 N CHAN 100V
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3000+1.4 EUR
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RH7P04BBKFRATCB rh7p04bbkfratcb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7P04BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0138 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
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