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RHRG30120 ON-Semicoductor

rhrg30120-d.pdf Hersteller: ON-Semicoductor
30A; 1200V; 85ns packaging: tube; RHRG30120 DP RHRG30120
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Technische Details RHRG30120 ON-Semicoductor

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RHRG30120 RHRG30120
Produktcode: 25599 		rhrg30120-d.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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RHRG30120 RHRG30120 Hersteller : ON Semiconductor rhrg30120-d.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 85ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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RHRG30120 Hersteller : ON Semiconductor rhrg30120-d.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 85ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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RHRG30120 RHRG30120 Hersteller : onsemi rhrg30120-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
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