RHRP3060 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 1.73 EUR |
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| 100+ | 1.37 EUR |
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Technische Details RHRP3060 ON Semiconductor
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 325A; TO220-2; 125W, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 325A, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 2.1V, Reverse recovery time: 45ns, Power dissipation: 125W, Max. load current: 70A, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Heatsink thickness: max. 1.4mm.
Weitere Produktangebote RHRP3060 nach Preis ab 5.23 EUR bis 5.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| RHRP3060 | Hersteller : ON-Semicoductor |
 30A; 600V; 45ns packaging: tube; RHRP3060 DP RHRP3060Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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RHRP3060 Produktcode: 113216
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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RHRP3060 | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 30A 45ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RHRP3060 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2202L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V |
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RHRP3060 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Rectifiers 30A 600V |
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| RHRP3060 | Hersteller : TE Connectivity |
Array |
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RHRP3060 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 325A; TO220-2; 125W Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 325A Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.1V Reverse recovery time: 45ns Power dissipation: 125W Max. load current: 70A Features of semiconductor devices: ultrafast switching Heatsink thickness: max. 1.4mm |
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