RJ1G04BBGTL1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1G04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3100 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.7 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
100 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RJ1G04BBGTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1G04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3100 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Weitere Produktangebote RJ1G04BBGTL1 nach Preis ab 2.84 EUR bis 9.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1G04BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
RJ1G04BBGTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RJ1G04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3100 µohm, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| RJ1G04BBGTL1 |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
MOSFETs Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.38 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 800+ | 2.84 EUR |
| RJ1G04BBGTL1 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1G04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3100 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: ROHM - RJ1G04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3100 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.27 EUR |
| 42+ | 5.64 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |

