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RJ1L04BBGTL1

RJ1L04BBGTL1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
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Technische Details RJ1L04BBGTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RJ1L04BBGTL1 RJ1L04BBGTL1 Hersteller : ROHM 4461459.pdf Description: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RJ1L04BBGTL1 RJ1L04BBGTL1 Hersteller : ROHM 4461459.pdf Description: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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