RJ1P10BATTL1 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.09 EUR |
| 10+ | 6.37 EUR |
| 100+ | 5.84 EUR |
| 500+ | 4.71 EUR |
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Technische Details RJ1P10BATTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 201W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm.
Weitere Produktangebote RJ1P10BATTL1 nach Preis ab 4.88 EUR bis 13.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RJ1P10BATTL1 | ROHM |
 Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 201W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJ1P10BATTL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 201W
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Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 13.99 EUR |
| 27+ | 8.87 EUR |
| 100+ | 6.15 EUR |
| 500+ | 5.33 EUR |
| 1000+ | 4.88 EUR |