RJ1P10BATTL1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 201W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 13.99 EUR |
| 27+ | 8.87 EUR |
| 100+ | 6.34 EUR |
| 500+ | 5.36 EUR |
| 1000+ | 4.97 EUR |
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Technische Details RJ1P10BATTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1P10BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 201W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm.