RJH1BF6RDPQ-80#T2

RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics Corporation


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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 1100V 55A TO247
Power - Max: 227.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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Technische Details RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT 1100V 55A TO247, Power - Max: 227.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Supplier Device Package: TO-247, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.

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RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics r07ds0393ej_rjh1bf6rdp-1092977.pdf IGBT Transistors IGBT
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