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RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

Name: RJK0391DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 3915696-3
Price: 4080.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)

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Technische Details RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: WPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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RJK0391DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

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RJK0391DPA-00#J5A

Renesas Electronics

MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6

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RJK0391DPA-00#J5A

RENESAS

RNCCS13079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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RJK0391DPA-00#J5A

RENESAS

Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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RJK0391DPA-00#J5A

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V

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RJK0391DPA-00#J5A

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MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6

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RJK0391DPA-00#J5A

Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: WPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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