RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
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Technische Details RJK0853DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Weitere Produktangebote RJK0853DPB-00#J5 nach Preis ab 2.64 EUR bis 7.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RJK0853DPB-00#J5 | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0853DPB-00#J5 | Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 80V 40A 8mohm LFPAK56 |
auf Bestellung 9384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0853DPB-00#J5 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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RJK0853DPB-00#J5 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RJK0853DPB-00#J5 |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
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| 4+ | 6.85 EUR |
| 10+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| RJK0853DPB-00#J5 |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 80V 40A 8mohm LFPAK56
MOSFETs Nch Power MOSFET 80V 40A 8mohm LFPAK56
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| 1+ | 7.31 EUR |
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| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.78 EUR |
| 2500+ | 2.64 EUR |
| RJK0853DPB-00#J5 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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| RJK0853DPB-00#J5 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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