RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
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Technische Details RJP30E2DPP-M0#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT, Packaging: Bulk, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote RJP30E2DPP-M0#T2 nach Preis ab 12.26 EUR bis 16.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP30E2DPP-M0#T2 | Renesas |
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
auf Bestellung 18811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJP30E2DPP-M0#T2 |
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Hersteller: Renesas
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
auf Bestellung 18811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 16.51 EUR |
| 100+ | 15.46 EUR |
| 500+ | 14.34 EUR |
| 1000+ | 13.23 EUR |
| 10000+ | 12.26 EUR |


