RM4Z
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Technische Details RM4Z
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote RM4Z
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RM4Z | Hersteller : EIC Semiconductor |
 SILICON RECTIFIER DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RM 4Z | Hersteller : Sanken Electric Co. |
Diode 200V 3A 2-Pin |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RM 4Z | Hersteller : Sanken Electric USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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