RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 6.05 EUR |
| 2000+ | 5.99 EUR |
| 3000+ | 5.75 EUR |
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Technische Details RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RMLV0408EGSB-4S2#HA1 nach Preis ab 8.15 EUR bis 8.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Part Status: Active Supplier Device Package: 32-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) DigiKey Programmable: Not Verified Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 14008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.15 EUR |
| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RMLV0408EGSB-4S2#HA1 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)