RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics
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Technische Details RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit.
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RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit |
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| RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : Rochester Electronics, LLC |
Description: R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8 |
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