RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics
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Technische Details RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit.
Weitere Produktangebote RMLV0816BGSB-4S2#AA0 nach Preis ab 10.71 EUR bis 15.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
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| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : RENESAS |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Hersteller : RENESAS |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 45s Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V |
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